Достижения: президент и главный исполнительный директор корпорации Intel, член совета директоров Intel, член Ассоциации полупроводниковой промышленности США, член совета директоров компаний U.S. West, Inc., PandesicT LLC и Sematech.
Дата рождения: 29 августа 1939 г.
Место рождения: г. Сан-Франциско, Калифорния, США.
Биография
В 1964 году Крейг Баррет окончил Стэнфордский университет, получив ученые степени бакалавра, магистра и доктора наук в области материаловедения. После окончания университета Баррет остался преподавать в нем. Проработав педагогом в течение десяти лет и дослужившись до должности адъюнкт-профессора, Крейг стажировался в Национальной физической лаборатории с 1964 по 1965 год. Позднее Баррет работал в Датском техническом университете (1972 год), получая стипендию фонда Фулбрайта.
1974 год ознаменован переходом Крейга Баррета в корпорацию Intel. Там он начал довольно быстро продвигаться по служебной лестнице. Сначала Баррет занимал должность менеджера по развитию технологий. В 1984 году Крейг стал вице-президентом компании и уже в 1987 году получил пост старшего вице-президента. Спустя 3 года Баррет занимает место исполнительного вице-президента. Баррет был избран в совет директоров корпорации Intel в 1992 году и, спустя год, стал исполнительным директором. Он стал президентом компании в мае 1997. С 1998 года Крейг является также главным исполнительным директором Intel.
Крейг Баррет является автором учебника по материаловедению, а также нескольких десятков технических статей о влиянии микроструктур на свойства различных материалов. В 1999 году он стал членом Национальной комиссии по естественно-научному и математическому образованию XXI века.
© |